摘 要 是一种全新的碳基二维半导体材料，C3N具有无孔洞的分子结构，这使其具有良好的载流子迁移能力。所以本文研究其电子输运性质，掺杂对于其电子性质的影响，并讨论在电子领域的应用。
关键词 半导体材料；电子输运性质
1 概述
是较新的二維半导体材料，引起人们的研究热潮。具有无孔洞的分子结构，这使其具有良好的载流子迁移能力。同时，理论计算结果表明，材料具有0.39 eV的间接带隙，从而弥补了石墨烯无带隙的缺憾。此外，实验结果表明，具有与石墨烯相近的结构稳定性，这为二维材料微电子器件的大规模实际应用提供了保证。丁古巧课题组利用CMOS工艺制作基于材料的晶体管（FET器件），实验证明了基于单层薄膜的FET器件开关比可以高达，载流子迁移率可达220。该发现为碳基二维材料家族增添了新成员，为探索基于该二维新材料的新物理和新器件奠定了基础。
2 研究方案
我们首先研究锯齿形的电子性质，并在其基础上考虑掺杂对它的影响。在边缘掺杂非金属会对其电子性质产生影响，我们研究其电子性质的变化可以指导其在半导体器件方面的研究。
3 研究结果
4 结论
通过对的研究，我们发现了这种材料的一个特殊性质，原本为金属性的材料通过在不饱和边缘掺杂B、H这两种非金属原子，可以使其电子性质从金属性变为半导体性，这种发现可以使得在电子领域有很好的应用。
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